3D TLC (Triple Level Cell) V-NAND В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку
Емкость накопителя
500 Гб
Формат накопителя
mSATA
Поддержка TRIM
Есть
IOmeter, скорость записи 4Кб файлов, глубина очереди=32
88000 IOPS
Интерфейс SSD
mSATA (Mini-SATA)
Шифрование данных
AES 256 бит
Серия
860 EVO
Background Garbage Collection
Поддерживается
Ресурс SSD
300 TBW
Ссылка на документ по срокам ГО
http://www.samsung.com/ru/support/warranty/
Ресурс DWPD
0.33 перезаписи всего объема накопителя в день (DWPD - Drive Writes Per Day) в течение 5 лет
Технология TurboWrite
Технология Intelligent TurboWrite
Для улучшения работы сайта и его взаимодействия с пользователями мы используем файлы cookie. Продолжая работу с сайтом, Вы разрешаете использование cookie-файлов. Вы всегда можете отключить файлы cookie в настройках Вашего браузера.